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碳化硅的厚度范圍?可以從幾微米到幾毫米不等，具體取決于其應(yīng)用場(chǎng)景和制造工藝。例如，碳化硅晶圓片的厚度可以達(dá)到130微米（um），而碳化硅顆粒的尺寸則有1-3mm、3-5mm等多種規(guī)格?12。碳化硅在不...

非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

非接觸式無(wú)損測(cè)厚儀采用的工作原理是光熱紅外法。利用光源照射物體表面,通過對(duì)激勵(lì)光源進(jìn)行強(qiáng)度調(diào)制，在材料中產(chǎn)生熱波，光源激發(fā)的熱量通過熱波在涂層中向深處傳播，這一熱波在涂層與基材的邊界處反射并最終傳播出...

在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域，晶圓的厚度測(cè)量是至關(guān)重要的一環(huán)，它直接關(guān)系到產(chǎn)品的質(zhì)量和性能。為了滿足高精度測(cè)量的需求，我們研發(fā)了一款對(duì)射非接觸式光譜共焦位移傳感器厚度測(cè)量設(shè)備，專門用于晶圓厚度的精確測(cè)量

金剛石膜檢測(cè)與測(cè)試報(bào)告 檢測(cè)項(xiàng)目 金剛石膜的檢測(cè)項(xiàng)目主要包括以下幾個(gè)方面：膜厚度、晶體結(jié)構(gòu)、表面粗糙度、附著力、熱穩(wěn)定性及耐磨性等。

硅片厚度測(cè)試的方法主要包括非接觸式光學(xué)測(cè)量技術(shù)，如反射率法、干涉法和激光掃描共聚焦顯微鏡等??1。其中，反射率法是通過測(cè)量不同角度下光線的反射率變化來(lái)計(jì)算硅片厚度，而干涉法則是利用光的干涉現(xiàn)象來(lái)測(cè)量厚...

非接觸式半絕緣方阻測(cè)量技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域,比如材料表面導(dǎo)電性測(cè)試、薄膜導(dǎo)電性測(cè)量、電路板測(cè)試等。它具有測(cè)量快速、精度高、不損傷被測(cè)物體等優(yōu)點(diǎn)。

半絕緣電阻率通常介于1-1000歐姆·厘米之間，是描述半絕緣材料導(dǎo)電性能的關(guān)鍵參數(shù)。這種材料在電子工業(yè)中應(yīng)用廣泛，特別是在制造半導(dǎo)體器件、絕緣層和光電材料等方面。非接觸半絕緣電阻率可測(cè)試該產(chǎn)...

玻璃領(lǐng)域 半導(dǎo)體玻璃的電阻率及某些物理化學(xué)性質(zhì)在光、電、熱等作用下可發(fā)生顯著改變，從而賦予其的性能。半導(dǎo)體玻璃已廣泛應(yīng)用于光電倍增器、存儲(chǔ)器件、電子開關(guān)等領(lǐng)域。

晶錠與晶片在半導(dǎo)體行業(yè)中扮演著不同的角色，它們之間的區(qū)別主要體現(xiàn)在形態(tài)、制備方式及應(yīng)用領(lǐng)域上。首先，晶錠，或稱為單晶硅棒，是一種長(zhǎng)條狀的半導(dǎo)體材料，通常采用特定方法制備，直徑多為200mm或300mm...

隨著光伏產(chǎn)業(yè)的迅猛發(fā)展，生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量的提升已成為行業(yè)關(guān)注的焦點(diǎn)。在光伏電池片的生產(chǎn)中，方阻檢測(cè)是確保電池片質(zhì)量和性能的關(guān)鍵環(huán)節(jié)之一。傳統(tǒng)的方阻檢測(cè)方法大多依賴接觸式測(cè)試，這不僅容易損傷材料，還難...